Samsung Electronics объявила о партнерстве с американским дизайнером микросхем Broadcom, сосредоточив внимание на памяти, контрактном производстве микросхем и передовой упаковке, с ожиданиями, что стоимость превысит 200 миллиардов долларов к 2030 году.
Это соглашение особенно важно, так как оно обеспечивает долгосрочные обязательства по производству от Broadcom, лидера в области проектирования индивидуальных ИИ-микросхем, что может повысить использование передовых производственных мощностей Samsung.
Сотрудничество направлено на удовлетворение растущего спроса на специализированные ИИ-микросхемы, поскольку технологические компании все чаще разрабатывают индивидуальные ускорители ИИ.
Меморандум о взаимопонимании подчеркивает стратегию Samsung по укреплению своих позиций в секторе ИИ-полупроводников, используя опыт Broadcom в интегральных схемах специального назначения (ASIC), наряду с собственными производственными возможностями.
Партнерство также будет включать производство микросхем связи следующего поколения Broadcom с использованием передовой технологии Samsung по производству менее чем на 2 нанометра и разработку продуктов с высокой пропускной способностью памяти (HBM).
Этот шаг является частью более широких усилий Samsung по конкуренции с лидером отрасли TSMC и привлечению крупных технологических клиентов, после недавних обсуждений с Nvidia по поводу будущих продуктов памяти.
Samsung ожидает, что вскоре получит более продвинутые заказы на производство, основываясь на своем предыдущем успехе с контрактом на 16,5 миллиарда долларов на производство логических микросхем для Tesla.