Samsung и SK Hynix модернизируют свои производственные мощности в Китае для производства более современных чипов NAND, в частности, нацеливаясь на чипы с 286 слоями и 240 слоями соответственно. Эта инициатива возникает на фоне растущей конкуренции со стороны YMTC, которая значительно увеличила свою долю на рынке Китая, достигнув 38,5% во втором квартале 2026 года.
Экспортные ограничения правительства США, требующие ежегодных лицензий на оборудование, произведенное в США, создали проблемы для этих южнокорейских компаний, ограничивая их возможности по модернизации технологий и расширению мощностей.
Завод Samsung в Сиане, отвечающий за 40% мирового производства NAND, планирует увеличить объем производства с 5,000 пластин в месяц в декабре 2026 года до 40,000 к декабрю 2027 года. Тем временем SK Hynix стремится улучшить свои мощности в Даляне, которые в настоящее время производят чипы с 192 слоями, для производства продуктов с 240 слоями и более.
Обе компании сталкиваются с сложной регуляторной средой, пытаясь сохранить конкурентоспособность на быстро развивающемся рынке полупроводников.