Samsung Electronics e SK Hynix potenziano gli impianti in Cina per produrre chip di memoria avanzati in mezzo a tensioni geopolitiche

10/20/2026, 11:37 PM announcement semiconductors

Samsung e SK Hynix stanno potenziando le loro capacità produttive in Cina per produrre chip di memoria NAND più avanzati, mirando specificamente a chip da 286 strati e 240 strati, rispettivamente. Questa iniziativa arriva mentre affrontano una crescente concorrenza da parte di YMTC, che ha guadagnato una quota di mercato significativa in Cina, arrivando al 38,5% nel secondo trimestre del 2026.

I controlli all'esportazione del governo degli Stati Uniti, che richiedono licenze annuali per l'attrezzatura prodotta negli Stati Uniti, hanno creato sfide per queste aziende sudcoreane, limitando la loro capacità di aggiornare la tecnologia e ampliare la capacità produttiva.

L'impianto di Samsung a Xian, responsabile del 40% della produzione globale di NAND, prevede di aumentare la produzione da 5.000 wafer al mese a dicembre 2026 a 40.000 entro dicembre 2027. Nel frattempo, SK Hynix sta cercando di migliorare il suo stabilimento di Dalian, che attualmente produce chip da 192 strati, per fabbricare prodotti con 240 strati o più.

Entrambe le aziende stanno navigando in un complesso panorama normativo mentre cercano di mantenere la competitività nel mercato dei semiconduttori in rapida evoluzione.

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