Samsung y SK Hynix están actualizando sus capacidades de fabricación en China para producir chips de memoria NAND más avanzados, apuntando específicamente a chips de 286 capas y 240 capas, respectivamente.
Esta iniciativa surge mientras enfrentan una competencia creciente de YMTC, que ha ganado una participación de mercado significativa en China, alcanzando el 38.5% en el segundo trimestre de 2026. Los controles de exportación del gobierno de EE. UU., que requieren licencias anuales para equipos fabricados en EE.
UU., han creado desafíos para estas empresas surcoreanas, limitando su capacidad para actualizar tecnología y expandir capacidad. La planta de Samsung en Xian, responsable del 40% de su producción global de NAND, está programada para aumentar la producción de 5,000 obleas por mes en diciembre de 2026 a 40,000 para diciembre de 2027.
Mientras tanto, SK Hynix busca mejorar su instalación en Dalian, que actualmente produce chips de 192 capas, para fabricar productos con 240 capas o más. Ambas compañías están navegando por un complejo panorama regulatorio mientras intentan mantener la competitividad en el mercado de semiconductores en rápida evolución.