7 августа 2026 года SK Hynix объявила о планах инвестировать 54 триллиона корейских вон (38,1 миллиарда долларов) в строительство двух новых заводов по производству микросхем памяти в ответ на растущий спрос на микросхемы памяти, особенно на память с высокой пропускной способностью (HBM), используемую в приложениях ИИ.
Компания выделит 35,2 триллиона вон на завод в Ёнъине, названный 'Y2', и 19,1 триллиона вон на завод в Чхонджу, который называется 'M17'. Эти инвестиции происходят на фоне роста цен на память из-за нехватки предложения и увеличенного спроса со стороны таких компаний, как Nvidia, которые расширяют свою инфраструктуру ИИ.
В результате крупные производители памяти, включая SK Hynix, Samsung и Micron, наблюдают значительное увеличение своих акций, поскольку инвесторы ожидают, что дисбаланс между спросом и предложением продолжится. Примечательно, что Samsung восстановила свои позиции на рынке динамической оперативной памяти (DRAM), что усиливает конкуренцию для SK Hynix.
Нил Шах, вице-президент по исследованиям в Counterpoint Research, отметил, что хотя эти инвестиции не окажут немедленного влияния на объемы производства SK Hynix, они стратегически направлены на будущие потребности в мощностях, при этом завод в Ёнъине ожидается начать производство в июне 2029 года. Завод в Чхонджу будет сосредоточен на NAND-памяти, которая также испытывает быстрый рост спроса.
SK Hynix подчеркнула, что в конкурентной среде ИИ способность своевременно поставлять необходимый объем продукции имеет решающее значение. Эти инвестиции являются частью более широкой стратегии, в рамках которой SK Hynix планирует инвестировать в общей сложности 600 триллионов вон в полупроводниковый кластер в Ёнъине и 100 триллионов вон для улучшения своих производственных мощностей в Чхонджу.