Il 7 agosto 2026, SK Hynix ha annunciato piani per investire 54 trilioni di won coreani (38,1 miliardi di dollari) per costruire due nuovi impianti di produzione di chip di memoria in risposta all'aumento della domanda di chip di memoria, in particolare della memoria ad alta larghezza di banda (HBM) utilizzata nelle applicazioni di IA.
L'azienda destinerà 35,2 trilioni di won per un impianto di fabbricazione a Yongin, chiamato 'Y2', e 19,1 trilioni di won per un impianto a Cheongju, denominato 'M17'. Questo investimento arriva in un contesto di aumento dei prezzi della memoria a causa delle carenze di offerta e della crescente domanda da parte di aziende come Nvidia, che stanno espandendo la loro infrastruttura di IA.
Di conseguenza, i principali produttori di memoria, tra cui SK Hynix, Samsung e Micron, hanno registrato significativi aumenti nei loro prezzi delle azioni poiché gli investitori si aspettano che il disallineamento tra domanda e offerta continui.
È importante notare che Samsung ha riconquistato la sua posizione di leader nel mercato della memoria ad accesso casuale dinamico (DRAM), intensificando la concorrenza per SK Hynix.
Neil Shah, vicepresidente della ricerca presso Counterpoint Research, ha indicato che, sebbene questi investimenti non influenzeranno immediatamente la produzione di SK Hynix, sono strategicamente mirati a soddisfare le future esigenze di capacità, con l'impianto di Yongin che dovrebbe iniziare la produzione a giugno 2029.
L'impianto di Cheongju si concentrerà sulla memoria NAND, che sta anche vivendo una rapida crescita della domanda. SK Hynix ha sottolineato che, nel competitivo panorama dell'IA, la capacità di fornire il volume richiesto di prodotti in modo tempestivo è cruciale.
Questo investimento fa parte di una strategia più ampia, con SK Hynix che prevede di investire un totale di 600 trilioni di won nel Cluster dei semiconduttori di Yongin e 100 trilioni di won per migliorare le sue capacità produttive a Cheongju.