Le 7 août 2026, SK Hynix a annoncé son intention d'investir 54 trillions de wons coréens (38,1 milliards de dollars) pour construire deux nouvelles usines de fabrication de puces mémoire en réponse à la demande croissante pour les puces mémoire, en particulier la mémoire à large bande passante (HBM) utilisée dans les applications d'IA.
L'entreprise allouera 35,2 trillions de wons pour une usine de fabrication à Yongin, nommée 'Y2', et 19,1 trillions de wons pour une installation à Cheongju, appelée 'M17'. Cet investissement intervient dans un contexte de hausse des prix de la mémoire en raison des pénuries d'approvisionnement et d'une demande accrue de la part d'entreprises comme Nvidia, qui étendent leur infrastructure d'IA.
En conséquence, les principaux producteurs de mémoire, y compris SK Hynix, Samsung et Micron, ont connu des augmentations significatives de leurs prix d'actions alors que les investisseurs anticipent que le déséquilibre entre l'offre et la demande se poursuivra.
Notamment, Samsung a retrouvé sa position de leader sur le marché de la mémoire vive dynamique (DRAM), intensifiant la concurrence pour SK Hynix.
Neil Shah, vice-président de la recherche chez Counterpoint Research, a indiqué que bien que ces investissements n'affectent pas immédiatement la production de SK Hynix, ils visent stratégiquement les besoins futurs en capacité, l'usine de Yongin devant commencer sa production en juin 2029.
L'usine de Cheongju se concentrera sur la mémoire NAND, qui connaît également une croissance rapide de la demande. SK Hynix a souligné que dans le paysage concurrentiel de l'IA, la capacité à livrer le volume requis de produits rapidement est cruciale.
Cet investissement fait partie d'une stratégie plus large, SK Hynix prévoyant d'investir un total de 600 trillions de wons dans le cluster de semi-conducteurs de Yongin et 100 trillions de wons pour améliorer ses capacités de production à Cheongju.